离子刻蚀机RIE RIE 北软检测芯片实验室 已认证

功能特色：1.用于对使用氟基化学的材料进行各向同性和各向异性蚀刻， 其中包括碳、环氧树脂...

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Si ICP刻蚀机 601E Alcatel 已认证

功能特色：最大刻蚀深度大于600微米；刻蚀均匀性±<2.5%；常规多步硅刻蚀速率为5 到1...

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金属ICP刻蚀机 SI 500 SENTECH 已认证

功能特色：...

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III-V族ICP刻蚀机 System 100 Oxford 已认证

功能特色：刻蚀多种化合物及多元化合物；二氧化硅刻蚀选择比：4:1~10:1；侧壁与底面夹角...

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反应离子刻蚀机 plasma100 Oxford 已认证

功能特色：1.刻蚀材料范围：Si、SiO2、Si3N4等硅基材料 2.样品尺寸：下电极尺寸...

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宝石刻蚀机 HiEtch-Lx2000 BMR 已认证

功能特色：刻蚀多种化合物及多元化合物；二氧化硅刻蚀选择比：4:1~10:1；侧壁与底面夹角...

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聚焦离子束 FB-2100 日立 已认证

功能特色：分辨率：6 nm，沉积材料：W放大倍率：700-90,000倍样品尺寸：最大2英...

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氧化硅ICP刻蚀机 Multiplex AOE STS 已认证

功能特色：介质膜刻蚀速率：＞2500A/min；选择比：光刻胶＞4:1；多晶硅＞15:1；...

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PT ICP刻蚀系统 VersalineTM LL-DSE Plasma Therm 已认证

功能特色：在BOSCH工艺下，刻蚀速率≥4um，选择比（Si:PR）≥60:1，纵横刻蚀比...

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离子束沉积-等离子体刻蚀系统 已认证

功能特色：...

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